三星在 Galaxy S23 系列中使用了 LPDDR5 RAM，隨後在 S24 型號中升級至 LPDDR5X。今年的旗艦機型將繼續使用 LPDDR5X 晶片，不過 ETNews 報導指出，該公司選擇了在更小製程節點上生產的晶片。
據報導，Galaxy S24 系列使用的是由三星生產的 13nm RAM 晶片。最新報導顯示，Galaxy S25 系列將轉向 12nm 晶片，並且三星已經將初次訂單轉向 Micron。未來批次中，三星預計將混合使用更高比例的三星自製 RAM 晶片。
S25 的小型半導體製程將降低功耗，從而減少熱量並提高效率。這款 RAM 將與 Snapdragon 8 Elite 處理器搭配，應用於所有三款（或四款）型號上。
對於喜愛小型 Galaxy S 手機的用戶來說，標準版 S25 預計將配備 12GB RAM，這是最後一款仍使用 8GB 的三星旗艦機型。所有這些改進應該將顯著提升性能。
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