Intel 會喺首爾建立實驗室,研究 DRAM 等技術

Intel 計劃在韓國首爾、美國、中國、墨西哥和印度等五個國家建設新的實驗室,並與韓國存儲製造商 Samsung Galaxy 和 SK海力士合作,研究服務器內存技術。

最近, Intel 在韓國首爾建立了一個數據中心開發實驗室,該實驗室將研究 CXL DRAM、DDR4 內存等其它近期熱門的內存技術,並在 Intel CPU 的內存兼容性驗證中扮演重要地位。 Intel 希望加強與DRAM內存製造商 Samsung Galaxy 、SK海力士的聯繫,以開發出更先進的內存技術和產品。

在近年來,雲計算、人工智能市場持續增長,全球大型數據中心的數量在不斷激增。隨著舊數據中心的更新以及新機房的建設,市場對 DDR5 內存的需求正在逐漸增加。

預計到 2023 年,DDR5 內存的銷量將明顯增長,成為服務器內存技術的主流之一。因此, Intel 和 Samsung Galaxy 、SK海力士等廠商開始提前進行技術研究和驗證,以搶占市場,保持先發優勢。

Intel 目前在全球 CPU 市場的份額高達 80%,他們不斷開發和推出支持 DDR5 內存的新型 CPU 產品。同時,SK 海力士也已經完成了第五代 10nm 1b 工藝的 DDR5 內存研發工作,並將用於製造服務器用 DDR5 內存,並提供給 Intel 進行技術驗證。

Samsung Galaxy 方面,近期也開始批量生產 12nm 工藝的 DDR5 內存顆粒,並計劃在 2023 年至 2024 年,進軍服務器存儲市場,以抓住人工智能蓬勃發展的機遇。

Henderson
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Henderson 主要擔任「炒稿記者」的職責,以翻譯最新科技,手機 電動車等消息為每天的工作。